发明名称 Anordnung und Verfahren
摘要 Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche (4) eines Substrats (2), indem die Oberfläche (4) des Substrats alternierenden Oberflächenreaktionen mindestens eines ersten Startmaterials (A) und eines zweiten Startmaterials (B) gemäß den Prinzipien des Atomschichtdepositionsverfahrens ausgesetzt wird. Gemäß der Erfindung wird ein erstes Startmaterial (A) mit Hilfe einer Quelle (6, 7, 8) auf die Oberfläche (4) des Substrats (2) örtlich zugeführt, indem die Quelle (6, 7, 8) in Bezug auf das Substrat (2) bewegt wird, und die mit dem ersten Startmaterial (A) bearbeitete Oberfläche (4) des Substrats (2) einem zweiten, in einer die Quelle (6, 7, 8) umgebenden Atmosphäre (1) vorhandenen Startmaterial ausgesetzt wird.
申请公布号 DE112011102860(T5) 申请公布日期 2013.08.08
申请号 DE201111102860T 申请日期 2011.08.30
申请人 BENEQ OY 发明人 SOININEN, PEKKA;SNECK, SAMI
分类号 C23C16/455 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人
主权项
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