Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen und Gatedielektrikum mit großemεund einer Zwischenätzstoppschicht

摘要

Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (120a) über einem ersten Halbleitergebiet (102a) eines Halbleiterbauelements (100) und Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur (120b) über einem zweiten Halbleitergebiet (102b), wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (120a, 120b) eine Gateisolationsschicht (116) mit einem dielektrischen Material mit großemε, ein metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial (113) und ein Platzhaltermaterial (114) aufweisen, und wobei die erste Gateelektrodenstruktur (120a) ferner eine Zwischenätzstoppschicht (115) enthält, die zwischen dem metallenthaltenden Elektrodenmaterial und zumindest einem Teil des Platzhaltermaterials (114) angeordnet ist; Entfernen von Material des Platzhaltermaterials (114) in der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (120b), um das metallenthaltende Gateelektrodenmaterial (113) oder das dielektrische Material mit großemεin der zweiten Gateelektrodenstruktur (120b) freizulegen und um die Zwischenätzstoppschicht (115) in der ersten Gateelektrodenstruktur (120a) freizulegen; Einstellen einer Austrittsarbeit in der zweiten Gateelektrodenstruktur (120b); Entfernen der Zwischenätzstoppschicht (115) in der ersten Gateelektrodenstruktur (120a); und Bilden eines metallenthaltenden Materials in der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (120b).