在浅沟槽上形成接触孔以提高半导体器件性能的方法

摘要

本发明公开了一种在浅沟槽上形成接触孔以提高半导体器件性能的方法，其中，包括：在垂直于晶体管的沟道方向两边的浅沟槽区域添加接触孔设计；进行层间绝缘材料的刻蚀，刻蚀后的接触孔停在氮化硅阻挡层上；进行过刻蚀，以打开接触孔内的氮化硅阻挡层，保证有源区以及多晶硅栅上的接触孔底部被刻蚀干净；对浅沟槽上添加的接触孔进一步加深刻蚀，以保证浅沟槽上接触孔的形成；在接触孔内进行金属填充。本发明通过在垂直于PMOS器件的沟道方向的两边添加接触孔设计，并在接触孔内注入热膨胀系数大于二氧化硅的金属，使得该金属在高温沉积并冷却后在浅沟槽内产生张应力，该张应力传导到PMOS器件沟道中，会在PMOS器件垂直于沟道方向上形成张应力，从而增加空穴的迁移率，改善PMOS器件的性能。

主权项

一种在浅沟槽上形成接触孔以提高半导体器件性能的方法，其特征在于，包括：在垂直于晶体管的沟道方向两边的浅沟槽区域添加接触孔设计；进行层间绝缘材料的刻蚀，刻蚀后的接触孔停在氮化硅阻挡层上；进行过刻蚀，以打开接触孔内的氮化硅阻挡层，保证有源区以及多晶硅栅上的接触孔底部被刻蚀干净；对浅沟槽上添加的接触孔进一步加深刻蚀，以保证浅沟槽上接触孔的形成；在接触孔内进行金属填充。