| 发明名称 | 通过质子交换转移薄层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及从基于锂的初始衬底转移薄层的方法，包括：该衬底与第一电解液之间通过该衬底的自由面的质子交换步骤，以便在深度e1上以10％-80°的比例由质子替代锂离子，其中所述第一电解液是酸性的；该衬底与第二电解液之间通过此自由面的逆质子交换步骤，以便在小于第一深度e1的第二深度e2上由锂离子替代至少几乎全部的质子，以使得在该深度e1和e2之间存在中间层，在其中存在在该离子交换步骤中引入的质子，该深度e2限定了所述自由面与所述中间层之间的薄层；热处理步骤，该热处理步骤在能够脆化该中间层的条件下进行；以及分离步骤，该分离步骤能够引起所述薄层与衬底的其余部分在该中间层处的分离。 | ||
| 申请公布号 | CN102037166B | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
| 申请号 | CN200980113507.5 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 原子能及能源替代委员会;S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 | 发明人 | A·托赞;J-S·穆莱 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张力更 |
| 主权项 | 从基于锂的初始衬底转移薄层的方法，包括：‑该衬底与第一电解液之间通过该衬底的自由面的质子交换步骤，以便在深度e1上以10％‑80％的比例由质子替代该衬底的锂离子，其中所述第一电解液是酸性的；‑该衬底与第二电解液之间通过此自由面的逆质子交换步骤，以便在小于第一深度e1的第二深度e2上由锂离子替代至少几乎全部的质子，以使得在该深度e1和e2之间存在中间层，在其中存在在该质子交换步骤中引入的质子，该深度e2限定了所述自由面与所述中间层之间的薄层；‑热处理步骤，该热处理步骤在能够脆化该中间层的条件下进行；和‑分离步骤，该分离步骤能够引起所述薄层与衬底的其余部分在该中间层处的分离。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||