发明名称 像素结构的制作方法以及像素结构
摘要 一种像素结构的制作方法以及像素结构,其包括下列步骤。于一基板上形成一主动组件。于主动组件上形成一图案化介电层。于图案化介电层的表面上形成一第一图案化透明电极,且第一图案化透明电极与主动组件电性连接。对第一图案化透明电极进行一第一高温制程,以使第一图案化透明电极结晶化。于结晶化的第一图案化透明电极的表面上形成一第二图案化透明电极,且第二图案化透明电极的图案与第二图案化透明电极的图案实质上相同。对第二图案化透明电极进行一第二高温制程,其中第二高温制程的温度小于第一高温制程的温度。此外,本发明还提出一种利用上述制作方法所制作出来的像素结构。
申请公布号 CN102169852B 申请公布日期 2013.08.07
申请号 CN201110044491.6 申请日期 2011.02.24
申请人 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 发明人 蔡耀仁;张锡明;黄彦余
分类号 H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 胡晶
主权项 一种像素结构的制作方法,其特征在于,包括:于一基板上形成一主动组件;于该主动组件上形成一图案化介电层;利用一光罩,于该图案化介电层的表面上形成一第一图案化透明电极,该第一图案化透明电极与该主动组件电性连接;对该第一图案化透明电极进行一第一高温制程,以使该第一图案化透明电极结晶化;利用该光罩,于结晶化的该第一图案化透明电极的表面上形成一第二图案化透明电极,且该第二图案化透明电极的图案与该第一图案化透明电极的图案实质上相同;以及对该第二图案化透明电极进行一第二高温制程,其中该第二高温制程的温度小于该第一高温制程的温度。
地址 215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路88号