发明名称 一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法及应用
摘要 本发明公开了一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法和应用,按照下述步骤进行:称取100重量份纳米SiO2,加入到含有0.1-0.5重量份的四正辛基溴化铵的二甲苯溶液中,充分搅拌分散后加入0.1-3重量份的硅烷偶联剂,超声分散后将分散好的悬浮液在沸腾状态下恒温反应,待反应结束后进行后续处理,得到电荷环境调控下硅烷偶联剂改性的纳米SiO2。利用这种方法改性的SiO2粒子由于表面带上了具有不饱和双键的有机物,提高其在高分子基体中的分散性,加入到高聚物聚合体系中,可以极大地提高聚合物基体的各项性能。
申请公布号 CN102558916B 申请公布日期 2013.08.07
申请号 CN201110425025.2 申请日期 2011.12.16
申请人 天津大学 发明人 郑俊萍;王佩佩;苏强;单佳慧
分类号 C09C1/28(2006.01)I;C09C3/12(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I 主分类号 C09C1/28(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王秀奎
主权项 一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法,其特征在于,按照下述步骤进行:称取100重量份纳米SiO2,加入到含有0.1—0.5重量份的四正辛基溴化铵的二甲苯溶液中,充分搅拌分散后加入0.1—3重量份的硅烷偶联剂,超声分散后将分散好的悬浮液在沸腾状态下恒温反应,恒温反应至少4小时,将处理后的无机粒子悬浮液用布氏漏斗抽滤,再以丙酮为溶剂,在索氏提取器中抽提24h—48h后,真空干燥,得到电荷环境调控下硅烷偶联剂改性的纳米SiO2;所述硅烷偶联剂为硅烷偶联剂KH570。
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