浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理并留下部分隔离层；干法刻蚀去除剩余隔离层；湿法刻蚀去除所述氮化层。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，平坦化处理未接触到氮化层，采用普通的研磨液就可以达到平坦化，降低了研磨液的成本，同时用干法刻蚀去除氮化层上剩余的隔离层，解决了化学机械研磨产生的凹陷与侵蚀现象。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层，所述隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理，平坦化处理后留下部分隔离层；干法刻蚀去除剩余隔离层；湿法刻蚀去除所述氮化层。