利用PLD技术在IBAD-MgO基带上快速制备简化单一CeO₂缓冲层的方法

摘要

一种利用PLD技术在IBAD-MgO基带上快速制备简化单一CeO2缓冲层的方法，能够在外延生长YBCO超导层所必需的单一取向高织构度的缓冲层结构中不使用外延同质MgO层就能获得优异的结晶取向性，实现YBCO超导带材制备工艺中，缓冲层制造工艺的简单化和低成本化。

主权项

一种利用PLD技术在IBAD‑MgO基带上快速制备简化单一CeO2缓冲层的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、把经高温烧结制备的CeO2氧化物靶材装入多通道激光镀膜系统腔体中的靶托；步骤2、将IBAD‑MgO基带缠绕在多通道激光镀膜系统内的辊轴上；步骤3、关闭多通道激光镀膜系统的门，并抽真空到所需真空度，然后启动加热器，升温到CeO2缓冲层镀膜工艺所需的温度值；步骤4、多通道激光镀膜系统中通入氧气，将气体的气压调节到CeO2缓冲层镀膜工艺所需的气压值；步骤5、启动激光靶旋转与扫描系统，启动准分子激光器，使激光器的能量和频率升到CeO2缓冲层镀膜工艺所需的值；步骤6、等加热温度、气压、激光能量、激光频率稳定后，打开激光光路开关，开始靶材表面预溅射过程；步骤7、等激光蒸发形成的椭球状等离子体稳定后，启动多通道传动装置的步进电机开关，并将金属基带的行走速度调到所需值，进行镀膜，金属基带通过多次缠绕在多通道传动装置的辊轴上，多次通过镀膜区；步骤8、完成镀膜后，关闭步进电机和激光光路开关。