发明名称 |
一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法。本发明提供的透明导电膜用蚀刻液,包括草酸、邻氟苯甲酸、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水。所述草酸占蚀刻液总重的0.5-10%,优选为1-5%;所述邻氟苯甲酸占蚀刻液总重的0.1-5%,优选0.5-2%;所述烷基酚聚氧乙烯醚占蚀刻液总重的0.01-5%,优选0.1-1%;所述消泡剂占蚀刻液总重的0.001-1%,优选0.01-0.1%;余量为所述水。该蚀刻液在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣,有效抑制有效起泡,没有大量泡沫产生,且能够在温和的工作条件下对无定形ITO膜高效且高精度对ITO膜进行蚀刻,蚀刻效率和精度均满足现有要求,具有重要的应用价值。 |
申请公布号 |
CN102382657B |
申请公布日期 |
2013.08.07 |
申请号 |
CN201110306381.2 |
申请日期 |
2011.10.11 |
申请人 |
绵阳艾萨斯电子材料有限公司 |
发明人 |
冯卫文 |
分类号 |
H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种透明导电膜用蚀刻液,由草酸、邻氟苯甲酸、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水组成;所述草酸占所述蚀刻液总重的1‑5%;所述邻氟苯甲酸占所述蚀刻液总重的0.1‑5%;所述烷基酚聚氧乙烯醚占所述蚀刻液总重的0.1‑1%;所述消泡剂占所述蚀刻液总重的0.01‑0.1%;余量为所述水。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市经开区机电工业园一期7号标准厂房 |