发明名称 一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法
摘要 本发明公开了一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法。本发明提供的透明导电膜用蚀刻液,包括草酸、邻氟苯甲酸、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水。所述草酸占蚀刻液总重的0.5-10%,优选为1-5%;所述邻氟苯甲酸占蚀刻液总重的0.1-5%,优选0.5-2%;所述烷基酚聚氧乙烯醚占蚀刻液总重的0.01-5%,优选0.1-1%;所述消泡剂占蚀刻液总重的0.001-1%,优选0.01-0.1%;余量为所述水。该蚀刻液在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣,有效抑制有效起泡,没有大量泡沫产生,且能够在温和的工作条件下对无定形ITO膜高效且高精度对ITO膜进行蚀刻,蚀刻效率和精度均满足现有要求,具有重要的应用价值。
申请公布号 CN102382657B 申请公布日期 2013.08.07
申请号 CN201110306381.2 申请日期 2011.10.11
申请人 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 发明人 冯卫文
分类号 H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 关畅
主权项 一种透明导电膜用蚀刻液,由草酸、邻氟苯甲酸、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水组成;所述草酸占所述蚀刻液总重的1‑5%;所述邻氟苯甲酸占所述蚀刻液总重的0.1‑5%;所述烷基酚聚氧乙烯醚占所述蚀刻液总重的0.1‑1%;所述消泡剂占所述蚀刻液总重的0.01‑0.1%;余量为所述水。
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