发明名称 |
有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法及装置 |
摘要 |
本发明提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法,包括以下步骤:将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置;向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号;获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线,以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值;得到比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线;得到关系曲线中的峰值点的激励频率;比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率,以得到待测导体膜的厚度值。该方法可以简便、快速地测量导体膜厚度,且能够减小提离波动对厚度测量的影响,从而提高测量精度。本发明还提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。 |
申请公布号 |
CN103234449A |
申请公布日期 |
2013.08.07 |
申请号 |
CN201310170146.6 |
申请日期 |
2013.05.09 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
赵乾;余强;孟永钢;路新春 |
分类号 |
G01B7/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置;向所述电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号;获取所述电涡流传感器的等效阻抗随所述激励信号的频率的变化关系曲线,以便得到所述等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值;得到所述比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线,并得到所述关系曲线中的峰值点的激励频率;以及比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率,以得到所述待测导体膜的厚度值。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084-82信箱 |