| 发明名称 | 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103233271A | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
| 申请号 | CN201310135986.9 | 申请日期 | 2013.04.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郭晓璐;马文全;张艳华 |
| 分类号 | C30B29/68(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/68(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||