发明名称 | 一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路 | ||
摘要 | 本申请公开了一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路,所述以MOS管为高端开关的电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、稳压二极管D1和MOS管Q1;所述输出短路保护电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管T2、第三三极管T3和电容C1;C1的一端接地,另一端分别与R3和R4的一端连接;R3的另一端接于T2的基极,R4的另一端接于T1的集电极;T2的集电极接于D1的阳极,发射极接于T3的集电极;T3的基极接于Q1的漏极;T3的发射极接于Q1的源极。本申请通过三极管、电阻和电容组成保护电路,当输出端短路接地时,将MOS管关闭,避免了MOS管被烧毁,解决了现有技术的问题。 | ||
申请公布号 | CN203119854U | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
申请号 | CN201320142109.X | 申请日期 | 2013.03.26 |
申请人 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 发明人 | 贾春冬 |
分类号 | H03K17/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
主权项 | 一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路,其特征在于,所述以MOS管为高端开关的电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、稳压二极管D1和MOS管Q1;所述第一电阻R1的一端作为输入端,另一端与所述第一三极管T1的基极连接;所述第一三极管T1的发射极接地,所述第一三极管T1的集电极通过所述第二电阻R2分别与所述稳压二极管D1的阳极和所述MOS管Q1的栅极连接;所述稳压二极管D1的阴极和MOS管Q1的源极分别与电源连接;所述MOS管Q1的漏极作为输出端;所述输出短路保护电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管T2、第三三极管T3和电容C1;所述电容C1的一端接地,另一端分别与所述第三电阻R3和第四电阻R4的一端连接;所述第三电阻R3的另一端接于所述第二三极管T2的基极,所述第四电阻R4的另一端接于所述第一三极管T1的集电极;所述第二三极管T2的集电极接于所述稳压二极管D1的阳极,所述第二三极管T2的发射极接于所述第三三极管T3的集电极;所述第三三极管T3的基极接于所述MOS管Q1的漏极;所述第三三极管T3的发射极接于所述MOS管Q1的源极。 | ||
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