发明名称 |
静电电容式传感器片及其制造方法 |
摘要 |
本发明具备:成膜工序,在具有透光性的基材(2)的至少一个表面形成透光性导电膜薄膜(11);辅助电极形成工序,在薄膜(11)的至少一部分设定起透明电极(3)作用的电极区域(3a),并以覆盖电极区域(3a)周缘的至少一部分的方式层压电阻低于薄膜(11)的辅助电极(4a);配线形成工序,将一端连接到辅助电极(4a)的配线(4b)层压在薄膜(11)上;抗蚀剂层压工序,以覆盖整个电极区域(3a)和至少一部分辅助电极4a的方式层压抗蚀剂(12);以及导电膜去除工序,去除在具有透光性的基材(2)上形成的薄膜(11)中位于不与抗蚀剂(12)、辅助电极(4a)、以及配线(4b)重叠的位置的薄膜(11)。 |
申请公布号 |
CN103238130A |
申请公布日期 |
2013.08.07 |
申请号 |
CN201280003659.1 |
申请日期 |
2012.02.03 |
申请人 |
信越聚合物株式会社 |
发明人 |
西泽孝治;小林佑辅;小松博登 |
分类号 |
G06F3/044(2006.01)I;G01B7/28(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/044(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种静电电容式传感器片的制造方法,其特征在于,包括:成膜工序,在具有透光性的基材的至少一个表面形成透光性导电膜;辅助电极形成工序,在所述透光性导电膜的至少一部分设定起透明电极作用的电极区域,并以覆盖所述电极区域的周缘的至少一部分的方式层压电阻低于所述透光性导电膜的辅助电极;配线形成工序,将一端连接到所述辅助电极的配线层压在所述透光性导电膜上;抗蚀剂层压工序,以覆盖整个所述电极区域和至少一部分所述辅助电极的方式层压抗蚀剂;以及导电膜去除工序,去除在所述具有透光性的基材上形成的所述透光性导电膜中位于不与所述抗蚀剂、所述辅助电极及所述配线重叠的位置的透光性导电膜。 |
地址 |
日本东京 |