一种LED外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开一种LED外延结构及其制备方法，自下而上依次包括：衬底；GaN成核层；若干对AlGaN/n-GaN交替堆叠结构组成的超晶格缓冲层；n-GaN层；MQW发光层；p-GaN层以及p型接触层；其特征在于：定义Al（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中Al组分值，N（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中n型杂质浓度值，Al（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降，N（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降。本发明提供的LED外延片结构，可有效在底层生长段充分释放由于蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配导致的晶格应力，从而大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。

主权项

一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底；GaN成核层；若干对AlGaN/n‑GaN交替堆叠结构组成的超晶格缓冲层；n‑GaN层；MQW发光层；p‑GaN层以及 p型接触层；其特征在于：定义Al（n）代表第n对AlGaN/n‑GaN超晶格缓冲层对中Al组分值，N（n）代表第n对AlGaN/n‑GaN超晶格缓冲层对中n型杂质浓度值，Al（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降，N（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降。