一种产冠菌素菌株生长发育关键温度的测定方法

摘要

本发明公开了一种产冠菌素菌株生长发育关键温度的测定方法，包括(1)菌株培养，(2)构建菌体浓度-温度生长曲线，(3)温度处理点生长速率，(4)温度速率模型选择与拟合。温度是产冠菌素菌株生长关键因素，也是生产上调控和优化发酵过程的关键因素。本发明提供菌种生长发育关键温度(生长起始温度、最适生长和高温致死临界温度)的测定方法，可以稳健地提供菌种种群温度特征，为今后冠菌素菌株选育提供稳健可靠的实用技术。

主权项

一种产冠菌素菌株生长发育关键温度的测定方法，其特征在于步骤为：（1）菌株培养：将保藏号CGMCC No.3621的桑丁香假单胞菌株（Pseudomonas syringae pv.mori）M4‑13菌株在LB固体平板上涂布，32℃培养1d，挑单菌落于LB液体培养基中32℃试管培养1d，将菌液稀释20000倍，再次涂布，挑单菌落于LB液体培养基中32℃试管培养1d，将菌液转移到含有200mL发酵培养基的500mL摇瓶内，在14℃~40℃范围内选取不同温度条件下，摇床280r/min培养；（2）构建菌体浓度‑温度生长曲线每隔1h取3mL发酵液并回注液体培养基3mL，于550nm处分光光度计法测定菌液吸光度，绘制菌株在不同培养温度下的生长曲线，建立菌体浓度‑温度生长曲线；（3）温度处理点生长速率以菌体浓度‑温度生长曲线对数期的斜率m，菌体浓度由分光光度法测得，λ=550，由下列公式： k = m log 2 求得生长速率k；（4）温度速率模型选择与拟合选择Briere温度速率模型作菌株生长发育关键温度基本分析，该温度速率模型如下式所示： V ( t ) = at ( t - T 0 ) ( T L - t ) 1 m 其中：V（t）是细菌温度在t=17.85，19.85，21.85，24.85，29.85，31.85，34.85，36.85，39.85℃时的发育速率，单位1/天；a为尺度参数，调节曲线达到最大值；m为形状参数，调节曲线的对称性；T0为低温发育临界温度，低于此温度该菌就不生长；TL为高温临界发育温度，高于此温度该菌也不能生长；最适发育温度按Briere方程求得： T opt = 2 mT L + ( m + 1 ) T 0 + 4 m 2 T L 2 + ( m + 1 ) 2 T 0 2 - 4 m 2 T L T 0 4 m + 2 其中：Topt为最适发育温度；T0为低温发育临界温度，低于此温度该菌就不生长；TL为高温临界发育温度，高于此温度该菌也不能生长；m为形状参数，调节曲线的对称性。