一种纳米碳化硅的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米碳化硅的制备方法，属于纳米材料技术领域。将纳米二氧化硅和炭质材料混合均匀，然后将混合物压制成片并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入熔融的氯化物熔盐电解质中，在500℃～1000℃温度下，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米SiC。该工艺具有流程短、能耗低，对环境友好等特点。

主权项

一种纳米碳化硅的制备方法，其特征在于具体步骤包括如下：将纳米二氧化硅和炭质材料以摩尔比1∶1～2的比例混合均匀、压制成型并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入温度为500～1000℃熔融的氯化物熔盐电解质中，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，然后将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米碳化硅。