| 发明名称 | 对改进型晶体管的源/漏延伸控制 | ||
| 摘要 | 具有提高的性能的平面晶体管具有在半导体衬底上的源极和漏极，半导体衬底包括在源极和漏极之间延伸的基本上无掺杂的沟道。栅极位于衬底上的基本上无掺杂的沟道之上。注入的源极/漏极延伸部接触源极和漏极，而注入源极/漏极延伸部具有小于大约1x1019原子/cm3或可替代地小于源极和漏极的掺杂剂浓度的四分之一的掺杂剂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN103238216A | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
| 申请号 | CN201180058243.5 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 苏沃塔公司 | 发明人 | P·拉纳德;L·希弗伦;S·R·松库沙莱 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张伟;王英 |
| 主权项 | 一种在半导体体块衬底上形成平面晶体管的方法，包括下列步骤：在源极和漏极之间形成基本上无掺杂的沟道，在晶体管衬底上形成栅极，将源极/漏极延伸部注入到在所述源极和所述漏极之间的所述基本上无掺杂的沟道中，所述源极/漏极延伸部具有小于大约1x1019原子/cm3的掺杂剂浓度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||