| 发明名称 | 一种阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以减少在阵列基板的制造过程中构图工艺的次数，有效降低产品的生产成本。阵列基板包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，还包括：依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜；所述金属氧化物薄膜的图形、所述刻蚀阻挡层薄膜的图形以及所述源漏金属层薄膜的图形通过一次构图工艺形成；通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。本实用新型实施例用于制造显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN203118950U | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
| 申请号 | CN201220653943.0 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，其特征在于，还包括： 依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜； 所述金属氧化物薄膜的图形、所述刻蚀阻挡层薄膜的图形以及所述源漏金属层薄膜的图形通过一次构图工艺形成； 通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||