| 发明名称 | 用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料，其通式为SnxGeyTez，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。与传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜材料相比，该Sn-Ge-Te薄膜材料具有结晶温度高、热稳定性好、数据保持力强和结晶速度快等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN103236495A | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
| 申请号 | CN201310128198.7 | 申请日期 | 2013.04.12 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张中华;宋三年;宋志棠;彭程;吕业刚 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的Sn‑Ge‑Te薄膜材料，其特征在于：所述Sn‑Ge‑Te薄膜材料的通式为SnxGeyTez，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||