| 发明名称 | 使用低压外延硅以实现低漏极源极导通电阻(RDSON)的场效晶体管 | ||
| 摘要 | 一种用于在衬底(100)上形成外延层(110)的方法可具有以下步骤：形成重度掺杂的硅衬底；在次大气压下在所述重度掺杂的硅衬底上沉积外延层；以及通过离子植入将掺杂剂植入至所述外延层中以形成轻微掺杂的外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN103238207A | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
| 申请号 | CN201180056218.3 | 申请日期 | 2011.11.21 |
| 申请人 | 密克罗奇普技术公司 | 发明人 | 格雷戈里·迪克斯;帕姆·莱瑟伍德 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种用于在衬底上形成外延层的方法，所述方法包括以下步骤：形成重度掺杂的硅衬底；在次大气压下在所述重度掺杂的硅衬底上沉积外延层；以及通过离子植入将掺杂剂植入至所述外延层中以形成轻微掺杂的外延层。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||