发明名称 形成铜内连线结构的金属氧化障壁层的方法
摘要 本发明公开了一种铜内连线结构,包含铜层、内衬层以及障壁层。铜层形成于介电层内,内衬层形成于铜层与介电层之间,障壁层形成于内衬层与介电层间的边界,且障壁层由金属氧化物所形成。
申请公布号 CN102222641B 申请公布日期 2013.08.07
申请号 CN201010198417.5 申请日期 2010.06.07
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 潘兴强;郭涵馨;柯忠祁;谢静华
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 陈红
主权项 一种用以形成铜内连线结构的方法,其特征在于,包含:提供一基板;形成一介电层于该基板上;形成一孔洞于该介电层内;形成一种晶层于该孔洞上;填入一导电层于该孔洞内;执行化学机械研磨法,以移除该导电层以及该种晶层中超出该孔洞的部分,使该介电层的顶端面外露,并形成一平坦化表面;形成一蚀刻停止层于该平坦化表面上;以及提供一热制程,使该种晶层中的金属元素扩散至该介电层的界面,以与该介电层中的碳或氮反应,形成一金属氧化障壁层,该金属氧化障壁层配置于该导电层下,其中该金属氧化障壁层包含碳或氮。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号