具有光提取结构的半导体发光器件

摘要

可增大以掠入射角发射的光的提取的结构被并入半导体发光器件内。在一些实施例中，该器件包含通过全内反射将光引导离开金属接触的低折射率材料。在一些实施例中，该器件包含半导体结构内例如腔的提取特征，该提取特征可以直接提取掠射角光，或者将掠射角光引导至更容易地从器件被提取的更小入射角内。

主权项

一种半导体发光器件，包含：半导体结构，其包含布置在n型区域和p型区域之间的发光层；反射性金属接触，其布置在该半导体结构的底侧上并电连接到该p型区域；材料，其布置在至少一部分该反射性金属接触和该p型区域之间，其中该材料的折射率和该p型区域的折射率之间的差异为至少0.4；其中：该半导体结构的顶侧的至少一部分被纹理化；该半导体结构的顶侧的纹理化部分与该反射性金属接触之间的距离小于5μm；该半导体结构包含用金属填充的腔，所述腔将以第一入射角入射的第一光引导为以第二入射角入射的第二光，该第二入射角小于该第一入射角；所述腔的第一集合具有接触该反射性金属接触的金属，并具有完全用电介质衬着以将所述腔的第一集合与该n型区域隔离的侧壁；以及所述腔的第二集合具有部分用该电介质衬着的侧壁，使得该金属接触该n型区域并且与该p型区域和该反射性金属接触隔离。