发明名称 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备
摘要 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备,属于氧化物薄膜材料制备技术领域,具体涉及一种在超高温(大于1100°C)和氧气气氛条件下氧化物半导体及其它氧化物薄膜功能材料生长的金属有机物化学气相沉积设备。其反应室由其由真空加热腔、内旋转系统、外旋转系统、带有水冷的U型法兰固定装置(1)、带水冷的火炬型中空轴(2)、带水冷的反应室侧壁(5)、喷淋头(6)和抽真空系统(18)组成;火炬型中空轴(2)分为炬体和炬把两部分,其炬把穿过U型法兰底座(1)。旋转电机通过皮带传送带动外旋转系统绕U型法兰底座(1)旋转,从而带动不锈钢旋转轴(7)及圆柱形石英支撑(10)和圆形石墨罩(12)绕真空加热腔旋转。
申请公布号 CN103233210A 申请公布日期 2013.08.07
申请号 CN201310187221.X 申请日期 2013.05.20
申请人 吉林大学 发明人 李万程;李国兴;杜国同;张源涛;杨小天
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 张景林;王恩远
主权项 一种氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备,由气体输运系统、反应室、控制系统、尾气处理系统构成,其特征在于:其反应室由其由真空加热腔、内旋转系统、外旋转系统、带有水冷的U型法兰固定装置(1)、带水冷的火炬型中空轴(2)、带水冷的反应室侧壁(5)、喷淋头(6)和抽真空系统(18)组成;火炬型中空轴(2)分为炬体和炬把两部分,其炬把穿过U型法兰底座(1),两者间真空密封安装;真空加热腔由火炬型中空轴(2)和安装在火炬型中空轴(2)上的石英罩(3)组成,在火炬型中空轴(2)的底部安装有三通法兰,从而构成密闭的腔体;在石英罩(3)内安装有加热炉盘(4),抽真空系统(17)对真空加热腔抽真空,使加热炉盘(4)与衬底及反应源隔离;内旋转系统由能够围绕火炬型中空轴(2)旋转的不锈钢旋转轴(7)、安装在不锈钢旋转轴(7)外侧的内磁箍(11)、安装在不锈钢旋转轴(7)上的圆柱形石英支撑(10)、安装在圆柱形石英支撑(10)上的圆形石墨罩(12)组成;内旋转系统位于反应室内,且能够围绕真空加热腔旋转;用于生长氧化物薄膜的衬底放置在圆形石墨罩(12)上;外旋转系统位于反应室外,安装在U型法兰底座(1)的外侧,能够在外部电机的带动下绕U型法兰底座(1)旋转,在外旋转系统上安装有外磁箍(16),当外旋转系统旋转时,外磁箍(16)与内磁箍(11)间相互吸引,从而带动内旋转系统旋转,衬底亦随之转动,从而使薄膜生长均匀。
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