可调谐半导体激光器设备和用于操作可调谐半导体激光器设备的方法

摘要

本发明提供半导体激光器设备，包括：-半导体结构（10），在沿纵向轴线（2）的相对侧上具有端部表面（1a，1b），结构（10）被形成为在该结构的顶部表面（4）和底部表面（5）之间具有有源区层（12）；-纵向结构（20），设置在顶部表面（4）上，以通过接触表面（22）接收电流；-第一纵向交指型换能器IDT（35），设置在顶部表面（4）上，第一IDT（35）在平行于纵向轴线（2）的方向上纵向延伸，且被布置为在平行于纵向轴线（2）的方向上产生表面声波SAW，其中第一IDT（35）被布置为平行于纵向结构（20），IDT（35）的中心和纵向结构的中心沿横向轴线（3）分隔开一个距离。电流经由顶部触点（22a）和底部触点被供应至有源区，且经由两个触点（22b,22c）被供应至IDT（35）。结构（20）可以是一个脊。

主权项

可调谐半导体激光器设备，包括：‑一个半导体结构（10），所述结构在沿着穿过该结构的纵向轴线（2）的相对侧上具有端部表面（1a，1b），所述半导体结构（10）被形成为在该结构的一个顶部表面（4）和一个底部表面（5）之间的一个有源区层（12）中具有一个有源区，所述顶部表面位于由所述纵向轴线（2）和一个垂直的横向轴线（3）所限定的平面中；‑一个纵向结构（20），设置在所述半导体结构（10）的所述顶部表面（4）上，且在平行于所述纵向轴线（2）的方向上、在两个相对的端部表面（1a，1b）之间的距离的至少一部分上纵向延伸，所述纵向结构（20）被布置为通过一个接触表面（22）接收电流；‑第一纵向交指型换能器IDT（35），设置在所述顶部表面（4）上，或者设置在所述顶部表面下方且在所述顶部表面上具有一个突起部，所述第一IDT（35）在平行于所述纵向轴线（2）的方向上纵向延伸，且被布置为响应于来自一个信号发生器的信号而在平行于所述纵向轴线（2）的方向上产生一个表面声波SAW；其中所述第一IDT（35）被布置为平行于所述纵向结构（20），且所述IDT（35）或所述IDT（35）的突起部与所述纵向结构（20）至少局部彼此并排地纵向延伸，所述IDT（35）的中心或所述IDT（35）的突起部的中心与所述纵向结构的中心沿着所述横向轴线（3）分隔开一个距离。