用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构

摘要

本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。

主权项

一种在生长基材上形成III族氮化物材料的方法，所述方法包括：在非同质生长基材的表面上形成III族氮化物成核层，其包括：使用卤化物气相外延（HVPE）过程在所述非同质生长基材的上表面上沉积包括多个纤锌矿晶体结构的III族氮化物层；以及热处理所述III族氮化物层；以及在所述成核层上形成另外的III族氮化物层。