发明名称 |
高次谐波生成元件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种高次谐波生成元件的制造方法。在通过有机树脂粘结剂将波长转换层夹在上下基板之间的结构的高次谐波生成元件中,防止元件的端面中的反射防止膜的剥落或裂纹,并且防止元件的端面附近的粘接层的燃烧破坏。制作以下的芯片12,该芯片具有:支撑基板(2)、具有设置了周期极化反转结构的光波导的波长转换层(5)、有机树脂制成的基底粘接层(3)、设置在波长转换层(5)的上表面一侧的上侧基板(11)、以及粘接波长转换层(5)和上侧基板(11)的有机树脂制成的上侧粘接层(10)。对该芯片(12)进行热处理。然后,在光波导的入射侧端面以及出射侧端面上分别形成防止反射膜。 |
申请公布号 |
CN101533201B |
申请公布日期 |
2013.08.07 |
申请号 |
CN200910128913.0 |
申请日期 |
2009.03.13 |
申请人 |
日本碍子株式会社 |
发明人 |
吉野隆史 |
分类号 |
G02F1/377(2006.01)I;G02F1/035(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/377(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静 |
主权项 |
一种高次谐波生成元件的制造方法,其特征在于,具有:制作芯片的芯片制作工序,该芯片具有:支撑基板、具有设置了周期极化反转结构的光波导的波长转换层、粘接该波长转换层的底面和所述支撑基板的有机树脂制成的基底粘接层、设置在所述波长转换层的上表面一侧的上侧基板、以及粘接所述波长转换层和所述上侧基板的有机树脂制成的上侧粘接层;对该芯片进行热处理,从而在所述上侧粘接层上从芯片端面产生若干的凹陷的热处理工序;以及然后在所述光波导的入射侧端面以及出射侧端面分别形成反射防止膜的成膜工序。 |
地址 |
日本爱知县 |