半导体结构

摘要

本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含硅基板、多个第一凸块下金属层、多个第一缓冲层、支撑层以及多个导接部，该硅基板具有多个导接垫及保护层，该些第一凸块下金属层覆盖该保护层及该些导接垫，各该第一凸块下金属层具有第一环壁，各该第一缓冲层分别形成于各该第一凸块下金属层上，各该第一缓冲层具有接合部、包埋部及第二环壁，该支撑层形成于该保护层、该些第一凸块下金属层及该些第一缓冲层上，该支撑层包覆各该第一环壁、各该第二环壁及各该包埋部，各该导接部覆盖各该接合部。

主权项

一种半导体结构，其特征在于其至少包含：硅基板，其具有表面、多个导接垫及保护层，该些导接垫形成于该表面上，该保护层形成于该表面上且覆盖该些导接垫，该保护层具有多个第一开口，各该第一开口分别显露各该导接垫；多个第一凸块下金属层，其覆盖该保护层及该些导接垫，各该第一凸块下金属层具有第一环壁；多个第一缓冲层，其分别形成于各该第一凸块下金属层，各该第一缓冲层具有接合部、包埋部及第二环壁；支撑层，其形成于该保护层、该些第一凸块下金属层及该些第一缓冲层上，该支撑层具有多个第二开口且各该第二开口分别显露各该第一缓冲层的该接合部，该支撑层包覆各该第一凸块下金属层的该第一环壁、各该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及多个导接部，其分别形成于各该第二开口且覆盖各该第一缓冲层的该接合部。