发明名称 |
氮化物系半导体发光元件 |
摘要 |
本发明提供一种氮化物系半导体发光元件,可以提高电极的反射率,改善光的导出效率。本发明提供一种具备氮化物系的半导体层、以及设于半导体层上的层叠多个金属层而构成的电极结构的氮化物系半导体发光元件,电极结构包含配置于半导体层侧的第一金属层、配置于第一金属层上的第二金属层,第一金属层可以含有与Cr相比在发光元件的发光峰值波长下的反射率更高的第一金属材料、和Cr。这样,与第一金属层仅由Cr构成的情况相比,可以在发挥高反射率的同时,抑制与半导体层的密合性的降低。 |
申请公布号 |
CN103238223A |
申请公布日期 |
2013.08.07 |
申请号 |
CN201180058567.9 |
申请日期 |
2011.10.13 |
申请人 |
日亚化学工业株式会社 |
发明人 |
三木康宽;大西雅彦;西山浩史;板东周作 |
分类号 |
H01L33/40(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/40(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
龚敏 |
主权项 |
一种氮化物系半导体发光元件,其特征在于,具备氮化物系的半导体层、和设于所述半导体层上的层叠多个金属层而构成的电极结构,所述电极结构包含:配置于所述半导体层侧的第一金属层、以及配置于所述第一金属层上的第二金属层,所述第一金属层含有与Cr相比在所述发光元件的发光峰值波长下的反射率更高的第一金属材料、和Cr,所述第二金属层至少含有Pt或Rh。 |
地址 |
日本德岛县 |