一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法

摘要

本发明公开了一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法，包括：对硅片进行清洗；在硅片背面上生长单层氮化硅薄膜；采用湿法腐蚀在硅片正面形成纳米超小绒面结构；浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属；使用激光烧蚀的方法在硅绒面上刻蚀出电极图形；使用碱溶液处理硅片，去除硅片表面损伤；对硅片进行清洗；热扩散制备PN结；使用氢氟酸去除PSG；在硅片正面生长氮化硅钝化层；丝网印刷铝背场，二次对准丝印前电极；烧结完成电池制备。这种电池具有超低的发射率和高效陷光能力、能够有效降低载流子的表面复合同时具有良好的电极接触，可以有效提高电池的效率。

主权项

一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗；在硅片背面生长单层氮化硅薄膜；在硅片正面用湿法腐蚀，形成纳米超小绒面结构；用浓酸加热处理硅片，去除硅片表面由于金属腐蚀完成后；使用激光对硅片具有纳米超小绒面结构的一面进行刻蚀，刻出电极图形；将硅片放入碱溶液煮，去除损伤；再次对硅片进行清洗；热扩散在硅片正面和背面制备PN结；去除正面和背面的PSG，并在正面生长氮化硅钝化层；在背面丝网印刷铝背场后，再利用二次对准丝网印刷前电极，使得印刷电极位置与前述激光刻出的图形对准；最终高温合金烧结完成电池制备。