实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法

摘要

本发明提供了一种实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法。该方法包括：在量子阱结构上沉积表面牺牲层；通过超短脉冲激光辐照或者扫描选定区域的表面牺牲层，以在该区域的表面牺牲层实现化学变性或者引入结构缺陷，形成激光改性区；对包括量子阱结构和表面牺牲层的元件进行快速热退火，通过热诱导作用将激光改性区的化学变性或引入的结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱结构的阱/垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。

主权项

一种实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法，其特征在于，包括：步骤A，在量子阱结构上沉积表面牺牲层；步骤B，通过超短脉冲激光辐照或者扫描选定区域的表面牺牲层，以在该区域的表面牺牲层实现化学变性或者引入结构缺陷，形成激光改性区；步骤D，对包括量子阱结构和表面牺牲层的元件进行快速热退火，通过热诱导作用将激光改性区的化学变性或引入的结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱结构的阱/垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。