| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de formation d'un via (59) reliant une première couche (21) d'un niveau supérieur et une seconde couche (1) d'un niveau inférieur, les deux couches étant entourées d'un matériau isolant (35, 15), le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former une ouverture jusqu'à atteindre un bord de la première couche, l'ouverture débordant latéralement par rapport audit bord ; b) former une couche d'un matériau de protection (53) seulement sur ledit bord ; c) poursuivre la formation de ladite ouverture en gravant sélectivement le matériau isolant jusqu'à atteindre la seconde couche du niveau inférieur ; et d) remplir l'ouverture d'au moins un matériau conducteur de contact (58).
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