| 摘要 |
一种半导体性质类钻碳薄膜之制造方法，以射频磁控溅镀法在矽基板上制备含硼类钻碳(B－DLC)薄膜，其使用硼锭片嵌入石墨靶中作为复合靶材，硼锭片即为掺杂源，并在形成含硼类钻碳薄膜后，将薄膜退火于温度500℃且持温10分钟，而后进行霍尔效应以及四点探针分析，分别分析其载子浓度与电阻率，证实含硼类钻碳薄膜之极性为p型半导体特性，且载子浓度可达1.3×1018cm－3，以及电阻率约为0.6 Ω－cm；因此，本发明具有优异半导体特性与高温稳定性之含硼半导体类钻碳薄膜，将可有很好的应用与发展在太阳能电池或电子传输及电极元件与设备上。 |
