发明名称 非挥发性记忆体阵列分割结构
摘要 本发明系揭示一种记忆体装置,系包含记忆体单元之阵列与分割系统,该分割系统系经组态成以单阶单元模式定址该阵列的第一部份,以及以多阶单元模式定址该阵列的第二部份。
申请公布号 TWI404068 申请公布日期 2013.08.01
申请号 TW097139152 申请日期 2008.10.13
申请人 史班逊有限公司 美国 发明人 纳拉瑞恩 哈枸;宝科尔麦特 阿里
分类号 G11C16/10;G11C16/14 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址 美国