Zweistrahl-Laserglühen bzw. -Annealing mit verbessertem Temperaturverhalten

摘要

Systeme und Verfahren zum Durchführen von Laserglühen bzw. -annealing bzw. -auszuheilen mit reduzierten Waferoberflächentemperaturvariationen während des Laserglüh- bzw. Laserausheil-annealingverfahrens werden offenbart. Die Systeme und Verfahren umfassen das Glühen bzw. Annealing bzw. Ausheilen der Waferoberfläche mit ersten und zweiten Laserstrahlen, die Vorheiz- und Glüh- bzw. Ausheil- bzw. Annealing-Laserstrahlen darstellen mit jeweils ersten und zweiten Intensitäten. Der Vorheiz-Laserstrahl bringt die Waferoberflächentemperatur nahe an die Glüh- bzw. Ausheil- bzw. Annealing-Temperatur und der Glüh- bzw. Ausheil- bzw. Annealing-Laserstrahl bringt die Waferoberflächentemperatur bis zur Glüh- bzw. Ausheil-Annealing-Temperatur. Die Verwendung von Reflektivitätsabbildungen der Waferoberfläche bei den Vorheiz- und Glüh- bzw. Ausheil- bzw. Annealingwellenlängen kann verwendet werden, um gute Glüh- bzw. Ausheil- bzw. Annealing-Temperaturgleichförmigkeit sicherzustellen.