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Verfahren zur Passivierung einer Oberfläche einer Halbleiterprobe (1), bei dem simultan zur Passivierung die Lebensdauer von freien Ladungsträgern in der Halbleiterprobe (1) dadurch bestimmt wird, dass die Oberfläche der Halbleiterprobe (1) mittels eines Lichtpulses einer Laserlichtquelle (4) mit höherer Energie als das verbotene Band des Halbleiters der Halbleiterprobe (1) beleuchtet wird, dass die Zeitfunktion der Widerstandsänderung, welche als Resultat der Beleuchtung in dem Halbleiter auftritt, mittels eines Mikrowellen-Reflektometers (2) gemessen wird, und dass die Lebensdauer von freien Ladungsträgern als charakteristische Zeitkonstante der Zeitfunktion der Widerstandsänderung in einer Steuer-, Aufzeichnungs- und Signalprozess-Einheit (3) bestimmt wird, wobei der zu messende Oberflächenabschnitt der Halbleiterprobe (1) unbedeckt bleibt und passiviert wird, indem er kontinuierlich elektrisch aufgeladen wird.
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