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Czochralski-Ziehapparat zum Wachsenlassen von einkristallinen Siliziumrohlingen, mit: einer Kammerumschließung (230); einem Tiegel (206) in der Kammerumschließung (230), der geschmolzenes Silizium enthält; einem Keimhalter (220a) in der Kammerumschließung (230) benachbart dem Tiegel (206), um einen Keimkristall (224) zu halten; einer Heizvorrichtung (204) in der Kammerumschließung (230), welche den Tiegel (206) umgibt; einem ringförmig gestalteten Hitzeschildgehäuse (300) in der Kammerumschließung (230), welches trapezförmige Gestalt aufweist und welches innere und äußere Hitzeschildgehäusewände (310, 330) enthält, die voneinander getrennt sind und vertikal verlaufen, und einem Hitzeschildgehäuseoberteil (340) und einem Hitzeschildgehäuseboden (320), die die inneren und die äußeren Hitzeschildgehäusewände (310, 330) verbinden, wobei das Hitzeschildgehäuseoberteil (340) von der inneren Hitzeschildgehäusewand (310) zu der äußeren Hitzeschildgehäusewand (330) hin nach oben zu schräg verläuft und wobei der Hitzeschildgehäuseboden (320) von der inneren Hitzeschildgehäusewand (310) zu der äußeren Hitzeschildgehäusewand (330) nach unten hin schräg abfällt; und einem Halterungsteil (350), welches das Hitzeschildgehäuse (300) innerhalb des Tiegels abstützt.
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