发明名称 |
推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序 |
摘要 |
本发明公开了一种推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序,所述推测缺陷部判断设备包括:计算操作部,其用于将表示半导体器件表面上的级差分布的级差数据中所包括的级差沿所述级差的深度方向分割为两个以上单位级差,并确定在通过所述分割获得的每个所述单位级差的上表面的级差位置处的等高线的高度和由所述等高线围绕的开口的面积之间的关系,以判断存在或不存在推测缺陷部。通过本发明,不仅考虑级差值,而且考虑级差的形状来进行推测缺陷部的判断。如果使用判断结果而采取合适的措施,则在研磨之后可制造出高度平坦的半导体器件,进而可预期半导体器件的质量改善。 |
申请公布号 |
CN103227122A |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN201310022692.5 |
申请日期 |
2013.01.22 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
出羽恭子;平田达司郎;涩木俊一 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
褚海英;陈桂香 |
主权项 |
一种推测缺陷部判断设备,其包括:计算操作部,其用于将表示半导体器件表面上的级差分布的级差数据中所包括的级差沿所述级差的深度方向分割为两个以上单位级差,并确定在通过所述分割获得的每个所述单位级差的上表面的级差位置处的等高线的高度以及由所述等高线围绕的开口的面积之间的关系,以判断存在或不存在推测缺陷部。 |
地址 |
日本东京 |