| 发明名称 | 铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示，其中，x和y是0.89≤x≤1.43、0.85≤y≤1.19。以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示的本发明的RIG与以往的RIG相比，其插入损耗低于0.6dB并且能够减少因波长1μm左右的光吸收引起的发热量，因此，具有能够应用于加工用高功率激光装置的光隔离器用法拉第旋转器的显著效果。 | ||
| 申请公布号 | CN103228826A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201180056450.7 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 大住俢司;能见育孝;中村宣夫;畑中浩;梶谷富男 |
| 分类号 | C30B29/28(2006.01)I;G02B5/30(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I;G02F1/09(2006.01)I;C30B19/12(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 崔香丹;洪燕 |
| 主权项 | 一种铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3‑x‑yGdxBiyFe5O12表示，并且所述化学式中的x和y分别是0.89≤x≤1.43和0.85≤y≤1.19。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||