集成磁电子信号隔离耦合器件及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种集成磁电子信号隔离耦合器件及其制备工艺。该耦合器件上自下而上依次为：信号处理电路、第一绝缘介质层、磁敏电桥、绝缘隔离层、信号输入线圈、软磁屏蔽层，磁敏电桥和信号处理电路均与信号输入线圈在电气上是完全隔离。其制造工艺：在制备磁敏电桥；制作绝缘隔离层、开口；沉积金属层，刻蚀形成连接线；以光刻胶为模板通过电镀工艺形成铜柱；再制作信号输入线圈；再在信号输入线圈上面加制一层软磁屏蔽层，再沉淀隔离绝缘层。本发明具有的突出的实质性特点：设有双层结构的信号输入线圈，使输入信号电流焊接盘安排在线圈之外，从而有利于芯片整体排版和缩小芯片尺寸，单位电流通过双层线圈时能够产生更强的磁场信号。

主权项

集成磁电子信号隔离耦合器件的制造工艺，其中，集成磁电子信号隔离耦合器件包括信号输入线圈（6）、与信号输入线圈（6）隔离的磁敏电桥（3），与磁敏电桥（3）信号连接的信号处理电路（2），上述三者集成在同一管芯上，自下而上依次为：信号处理电路（2）、第一绝缘介质层（4）、磁敏电桥（3）、绝缘隔离层（5）、信号输入线圈（6）、软磁屏蔽层（7），所述的磁敏电桥（3）和信号处理电路（2）均与信号输入线圈（6）在电气上是完全隔离的，其制造步骤包括：在制备有输出信号处理电路的硅片上制作磁敏电桥（3）；在磁敏电桥（3）上制作第一绝缘介质层（5），并开口，接着，沉积金属层，对金属层进行刻蚀形成连接线（14）；制作铜柱（8），然后，再制作信号输入线圈（6），最后再在信号输入线圈（6）上面加制一层软磁屏蔽层（7），其特征在于铜柱（8）是以光刻胶为模板通过电镀工艺形成：匀胶、曝光显影形成电镀模板，然后电镀铜柱，电镀后显影去胶，再沉淀隔离绝缘层；当绝缘隔离层（5）采用无机绝缘材料时，沉积无机绝缘材料，通过化学机械抛光的方法抛光使绝缘隔离层（5）表面平整并将铜柱（8）暴露出来，以便于与信号输入线圈（6）相连接；当绝缘隔离层（5）采用绝缘聚合物时，旋涂绝缘聚合物后直接在其上制作信号输入线圈（6）。