薄膜晶体管、阵列基板及显示器件

摘要

本实用新型涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示器件。薄膜晶体管、阵列基板包括形成在基板上的栅极、氧化物有源层、源极、漏极、像素电极，其特征在于源漏电极与氧化物有源层之间设置有源漏过渡层，通过在源漏极层与氧化物有源层之间形成一层源漏过渡层，减少了一次构图工艺，节省了一次mask，从而有效地降低了成本。同时增加的源漏过渡层可以阻挡氧化物有源层在刻蚀中被腐蚀，还可以有效地减少薄膜晶体管Vth（阈值电压）漂移、提高Ion（开启电流）/Ioff（关闭电流）、增强热稳定性。本实用新型技术手段简单，易于实施，具有广泛的应用前景。

主权项

一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源极、漏极，其中，所述氧化物有源层对应所述源极与漏极间隔位置为沟道区，其特征在于，所述源极和所述氧化物有源层之间形成有源过渡层，所述漏极和所述氧化物有源层之间形成有漏过渡层，其中所述源过渡层和所述漏过渡层不相连，所述源过渡层与漏过渡层直接接触所述氧化物有源层。