一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法

摘要

一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法，属于半导体器件领域，尤其涉及关于栅的形成方法来记忆浅槽隔离区(STI)引入到金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)沟道区的应力。它的特征是先在MOSFET的栅电极区淀积流体性质的栅材料，之后，采用高温退火，或快速热退火，或激光退火或是快速热退火与激光退火相结合处理，使流体性质的栅材料变为刚体性质的栅材料，记忆由STI(Shallow Trench Isolation)引入到MOS器件沟道区域的应力。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，不仅适用于90纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

主权项

一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法，其特征在于：在形成MOSFET器件的栅极时，首先在MOSFET器件的栅极区域淀积具有流性性质的栅材料，然后再在栅上淀积一层覆盖层，之后，将该器件采用高温退火、或快速热退火、或激光退火、或是快速热退火与激光退火相结合处理，使栅极材料由粘度较小的流性性质的材料转变为粘度较大的刚性性质的材料，其主要制作步骤如下：①应力的引入：在半导体衬底（10）上形成隔离MOS器件的STI区（12），并在该区填充能对沟道区产生应力的材料；②栅材料的淀积：栅氧化层（28）形成之后，在该区域之上淀积流性性质的栅材料并刻蚀形成栅极（32）；③覆盖层的淀积：在侧墙形成之后，淀积一层用于固定栅形状的覆盖层；④退火处理：将淀积了覆盖层的器件进行退火，使栅极材料由粘度较小的流性性质的材料转变为粘度较大的刚性性质的材料，从而记忆沟道区在STI应力作用下产生的应变，在掩模下通过离子注入工艺对MOS器件的源漏区进行掺杂，再进行退火完成整个器件的制作。