用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法

摘要

用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。

主权项

用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于包括以下步骤：1)制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；2)在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；3)在非平面结构上制作金属层；4)在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；5)在导热性好的基底上制备第二含金属层；6)在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。