成膜方法及成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO2膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO2膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO2膜的工序和形成SiO2膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO2膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO2膜的工序，形成SiO2膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO2膜的工序；将上述供给次数的ZrO2膜成膜和SiO2膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。

主权项

一种成膜方法，其特征在于，向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将上述处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO2膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO2膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO2膜的工序和形成SiO2膜的工序，使得形成的氧化锆系膜中的Si浓度为1～4atm％，该形成ZrO2膜的工序是向上述处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO2膜的工序，该形成SiO2膜的工序是向上述处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO2膜的工序；将上述供给次数的ZrO2膜成膜和SiO2膜成膜作为1个循环，进行1个以上该循环而形成规定膜厚的氧化锆系膜。