发明名称 细微结构体及其制造方法
摘要 本发明的细微结构体的制造方法,其特征在于,具有以下阶段:含有至少具有第1链段(101)及第2链段(102)的高分子嵌段共聚物(103)的高分子层在基板(105)的表面进行配置的第1阶段;以及使高分子层发生微相分离,使由第2链段(102)作为成分的连续相(204)与在该连续相(204)的贯穿方向上排列的以第1链段(101)作为成分的微畴(104)形成的结构呈现的第2阶段;基板(105)具有与在形成微畴(104)的位置上离散配置的基板(105)的表面化学性质不同的图案部件,在第1阶段配置的高分子层的厚度t与高分子嵌段共聚物(103)形成的微畴(104)的固有周期do的关系为:(m+0.3)×do<t<(m+0.7)×do,m为0以上的整数。
申请公布号 CN102123941B 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN200980132233.4 申请日期 2009.08.12
申请人 株式会社日立制作所 发明人 多田靖彦;吉田博史
分类号 B82B3/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C08F297/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王永红
主权项 细微结构体的制造方法,其特征在于,具有下列阶段:将含有至少具有第1链段及第2链段的高分子嵌段共聚物的高分子层在基板表面上配置的第1阶段;以及使上述高分子层发生微相分离,使由上述第2链段作为成分的连续相与在该连续相的贯穿方向上排列的以上述第1链段作为成分的微畴形成的结构呈现的第2阶段;上述基板具有图案部件,所述图案部件是在形成上述微畴的位置上离散配置的、与该基板表面的化学性质不同的图案部件,在上述第1阶段配置的上述高分子层的厚度t,与上述高分子嵌段共聚物形成的微畴的固有周期do的关系为:(m+0.3)×do<t<(m+0.7)×dom为0以上、5以下的整数。
地址 日本东京