| 发明名称 | 铟镓氮基光电极的表面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及铟镓氮基光电极的表面处理方法，可大幅提高其IPCE：把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。作为优选方案，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm，更优选为250-1500nm。本发明处理方法简单、高效，设备简单，易于大规模使用，表面处理后光电极量子转换效率大幅提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102304738B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201110206604.8 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 邹志刚;罗文俊;李朝升;李明雪;刘斌;陈敦军;于涛;谢自力;张荣 |
| 分类号 | C25D11/02(2006.01)I;C25B11/04(2006.01)I | 主分类号 | C25D11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 周静 |
| 主权项 | 一种铟镓氮基光电极的表面处理方法，其特征在于，把InxGa1‑xN光电极作为阳极，浸在0.1～5MHCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1，InxGa1‑xN光电极表面InxGa1‑xN的厚度为250nm。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||