柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法

摘要

一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀在N型GaN层上形成凹槽；在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层；在其表面制作一层柔性透明导电层；去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来；在透明电极层上制备P电极；在凹槽内的N型GaN层上制备N电极。

主权项

一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；步骤2：在P型GaN层上形成一透明电极层；步骤3：采用光刻的方法在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀，刻蚀深度到达N型GaN层内，在N型GaN层上形成凹槽；步骤4：在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，刻蚀深度至图形衬底的表面，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；步骤5：在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层，形成基片；步骤6：在基片的表面制作一层柔性透明导电层；步骤7：采用光刻的方法，去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来；步骤8：在透明电极层上制备P电极；步骤9：在凹槽内的N型GaN层上制备N电极，完成制备。