发明名称 |
碳化物复合相变存储材料及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域,从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制,大大增加了晶界数,增大了复合材料的电阻率,使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外,可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值,避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。 |
申请公布号 |
CN102453823B |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN201010515116.0 |
申请日期 |
2010.10.21 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
吴良才;朱敏;宋志棠 |
分类号 |
C22C32/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C22C32/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种碳化物复合相变存储材料,其特征在于:由碳化物和至少一种相变材料复合而成;所述碳化物在碳化物复合相变存储材料中的摩尔百分比含量为5%‑50%;所述的相变材料为硫系化合物;所述的碳化物为碳化四硼、二碳化三铬、碳化铪、碳化二钼、碳化铌、碳化硅、碳化钽、碳化钛、碳化钨、碳化二钨、碳化钒、碳化锆中的一种或多种。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |