发明名称 碳化物复合相变存储材料及制备方法
摘要 本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域,从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制,大大增加了晶界数,增大了复合材料的电阻率,使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外,可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值,避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。
申请公布号 CN102453823B 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201010515116.0 申请日期 2010.10.21
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 吴良才;朱敏;宋志棠
分类号 C22C32/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 主分类号 C22C32/00(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种碳化物复合相变存储材料,其特征在于:由碳化物和至少一种相变材料复合而成;所述碳化物在碳化物复合相变存储材料中的摩尔百分比含量为5%‑50%;所述的相变材料为硫系化合物;所述的碳化物为碳化四硼、二碳化三铬、碳化铪、碳化二钼、碳化铌、碳化硅、碳化钽、碳化钛、碳化钨、碳化二钨、碳化钒、碳化锆中的一种或多种。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号