基于TaO_x的自整流阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂质能级范围，选择顶电极材料；4）在氧化薄膜上溅射并图形化顶电极，完成制备，得到图形化的衬底部分经过n+/p+重掺杂处理形成的底电极，在顶电极和底电极间的阻变薄膜上有一肖特基接触面和一欧姆接触面的阻变存储器。本发明采用重掺杂Si做基于TaOx的RRAM底电极，并合理选择顶电极和采用合适的操作方法，实现适用于高密度集成的与CMOS工艺完全兼容的自整流存储器。

主权项

一种基于TaOx的自整流阻变存储器，包括顶电极、底电极、衬底以及顶电极和底电极间的阻变薄膜，其特征在于，所述底电极为经过图形化和n+/p+重掺杂处理后的衬底部分，所述阻变薄膜与顶电极和底电极间的两个接触面中有一肖特基接触面和一欧姆接触面。