发明名称 半导体装置以及半导体集成电路装置
摘要 本发明提供具有最大限度发挥减小EMI噪声的效果的配线图形的半导体装置以及半导体集成电路装置。一种半导体装置,具有:内部电路;配置在比该内部电路靠外侧的,与外部连接用的电源端子垫以及接地端子垫连接的,被供给电源电位以及接地电位的外围电源配线;设置在所述内部电路和所述外围电源配线之间的,从所述外围电源配线向所述内部电路供给所述电源电位的内部电路电源电位供给用配线以及供给所述接地电位的内部电路接地电位供给用配线,其特征在于,所述内部电路电源电位供给用配线和所述内部电路接地电位供给用配线接近地配置以产生配线间电容,与所述内部电路的连接点以及与所述外围电源配线的连接点分别仅为一个部位。
申请公布号 CN101587876B 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN200910130699.2 申请日期 2009.03.31
申请人 三美电机株式会社 发明人 汤浅雄一
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静
主权项 一种半导体装置,具有:内部电路;配置在比该内部电路靠外侧的,与外部连接用的电源端子垫以及接地端子垫连接的,被供给电源电位以及接地电位的外围电源配线;设置在所述内部电路和所述外围电源配线之间的,从所述外围电源配线向所述内部电路供给所述电源电位的内部电路电源电位供给用配线以及供给所述接地电位的内部电路接地电位供给用配线,该半导体装置的特征在于,所述内部电路电源电位供给用配线和所述内部电路接地电位供给用配线接近地配置以产生配线间电容,所述内部电路电源电位供给用配线与所述内部电路的连接点仅为一个部位;所述内部电路电源电位供给用配线与所述外围电源配线的连接点仅为一个部位;所述内部电路接地电位供给用配线与所述内部电路的连接点仅为一个部位;所述内部电路接地电位供给用配线与所述外围电源配线的连接点仅为一个部位,所述内部电路电源电位供给用配线以及所述内部电路接地电位供给用配线是比所述外围电源配线线宽度细、长度长的配线,通过配线电阻和所述配线间电容构成RC滤波器。
地址 日本东京都