发明名称 |
非易失性存储器和用于线性估计初始编程电压的方法 |
摘要 |
在一种非易失性存储器中,通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续编程一字线上的选定页(在所述脉冲之间具有验证),直到所述页被验证为具有指定模式为止。对所述页进行编程验证时的编程电压将用于估计用于所述页的开始编程电压的初始值。在第二遍中通过使用来自第一遍的估计来进一步细化所述估计。而且,当在多个区块上进行测试时,基于所述区块的相似几何位置而取样字线可产生针对较快编程页而优化的开始编程电压。 |
申请公布号 |
CN101512666B |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN200780033510.7 |
申请日期 |
2007.08.31 |
申请人 |
桑迪士克科技公司 |
发明人 |
洛克·杜;查尔斯·莫阿纳·胡克;李彦 |
分类号 |
G11C16/12(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;G11C29/02(2006.01)I;G11C29/50(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
一种在具有经组织成多个可擦除区块的存储器单元阵列的非易失性存储器中确定用于给定页的开始编程电压的方法,每一可擦除区块含有用于存取可一起擦除的存储器单元的字线区块,且每一字线含有至少一个可一起编程的存储器单元页,所述方法包含:(a)选择代表所述给定页的页样本;(b)提供用于编程所述样本的每一页的编程电压,所述编程电压具有带有初始值和预定最大电压限制的阶梯波形;(c)擦除所述页样本;(d)针对所述样本中的每个页,以所述阶梯波形的逐个步长编程并验证所述页,直到已达到所述最大电压限制或已将所述页编程到目标模式为止,且在已将所述页编程到目标模式的情况下,累积最终编程电压作为所收集的统计数字的一部分;以及(e)从所述所收集的统计数字计算用于所述样本的平均最终编程电压,以通过向后缩放预定量来估计用于所述页的开始编程电压。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |